Source

• source cell pitch如果与bump pitch保持一致，那么就可以对齐，几乎不用留额外的走线通道（dio2so)。 按照这个需求，source cell pitch需要22um。
• 实际上15214的source cell pitch是25um，因此无法对齐，需要额外的走线通道。

Afe

OLB Diode

• olb dio的pitch必须与bump的pitch保持一致，这样dio2pad走线就不会偏。因此dio pitch=11um*2=22um。所有下层式项目都是这样。
• dio2pad采用M5,w=6um

OLB Bump

• 15214 bump wl=21x50um, pitch=11um
• 15214 dummy bump wl=44x40um, pitch=99um

ILB Bump

• 15214 bump wl=24x75um, pitch=39um。最左边/右边的bump wl=24x50um，采用下边线齐平的方式对齐

ESD Diode

• p的AA面积wl=15x5um, n的AA宽度=2um, p/n之间AA的间距s=1um
• p的外倒角，n的内倒角=0.5um
• sab覆盖p的AA区域1um，这样子p的AA内部区域没有被SAB覆盖的为5-2=3um

ESD MOS管（MV）

• w最好30um以上，按照ESD画法
• s端一排孔，d端2排孔
• d端的sab覆盖宽度=2um，非sab覆盖的宽度=0.86um，因此d端的总宽度=2+0.86+2=4.86um
• s端不用sab，s端的宽度=1.18um
• 环的AA宽度=1um, 4排cont

DNW

• 55nm华力工艺，dnw2dnw的间距需要8um