1. 新的levelshift结构

用于por/lvd中，提高转换的可靠性。
原有结构的缺点：

1. 电路结构复杂，管子多，存在多道电压的转换，依赖于多个电压
2. mos管存在开启问题，工作电压<2Vth不能可靠工作。低电压下状态未知，不可靠。
3. 在上电/掉电过程中，可能会出现毛刺，或者多次开启现象，甚至可能会出现振荡。

新结构的优点：

1. 电路结构简单，mos管数量非常少
2. 主要依赖于无源器件。无源器件性能好，线性度好。
3. 即使vdd=Vth，工作在亚阈值区，也能正常工作，不会失控。因此可靠性高。可以工作在极低电压。
4. 上电过程，非常可靠稳定，不会出现毛刺，不会出现多次开启现象。

新结构的缺点：

1. 相对比较消耗面积。因此不能大量使用。但是特别适合于电源类的por/lvd，因为数量不多。
2. 对电阻的精度完全没有要求，因此可以用L很细的poly电阻，这样子可以大幅减小面积。
3. 存在一定静态功耗（1uA左右)，在绝大部分应用场合是可以接受的。

2. 极低工作电压的lvd架构

基于简化版的vddi/vsp/vsn检测，再结合新的levelshift结构。
提高可靠性，拓展工作范围

3. synposys mipi_ip改进

考虑对第一级做处理，实现无尾电流，但是又能控制住电流的结构。
replica bias？ 小pmos(直接耦合，解决长0/1问题) + 大pmos(隔直+偏置耦合，解决AC传输问题)?

4. 双VREF_TP的AFE架构

5. 我的panel_test方案