주소 핀의 갯수는 DRAM의 용량과 관계가 있다. SDRAM의 경우 BA 뱅크 어드레스 BG 뱅크 그룹 어드레스가 있다. MT40A512M16HA-083E의 경우 총 용량이 1GB의 DDR4 SDRAM이다. 데이트 시트를 보면, BG0, BA[1:0], A[15:0](Row Address), A[9:0](Column Address)로 이루어 진다.
데이터 핀
Bidirectional data bus. DQ represents DQ[3:0], DQ[7:0], and DQ[15:0] for the x4, x8, and x16 configurations. PC와 같이 대용량의 경우 SIMM(Single In-Line Memory Module)이나 DIMM(Dual In-Line Memory Module) 사용
RAS#
Row Address Strobe 핀, 이 핀이 Low일 때 Address 핀에 들어온 상태가 Row Address를 의미
CAS#
정상적인 Read/Write 동작시에는 RAS# 다음 tRCD 라는 행 주소 찾고 열 주소가 입력 될 때까지의 시간이 지난 후 CAS# 신호가 입력 되며, 이에 따라 DRAM이 행주소와 열주소를 순차적으로 모두 받아들이면 원하는 DRAM Cell로 접근이 가능하다.
WE#
Write Enable이며, Low일때 Write, High 일때 읽기로 동작한다.
WE#는 CAS#신호가 입력되는 타이밍에 같이 입력 된다.
WE#이 CAS#신호 보다 빠르게 인가되면 Early Write Mode 더 늦게 인가 되면 Delayed Write Mode라고 한다.
CLK
모든 동작의 타이밍 Reference다.
CKE
Clock Enable 신호로, Clock 신호를 차단하거나 통과시키는 역할
DQM
데이터 마스크 핀이다. DQM 동작은 SDRAM의 Read나 Precharge 동작 중 Write의 Burst Interruption이 발생 할때에 중요하게 쓰인다.