• 可提供使用者暫時儲存資料，以減少CPU到主記憶體存取的頻率，通常藉由機器語言(Machine Language)來做存取並使用

• 控制CPU運作，記錄指令執行的狀態，CU可參考其內容以控制CPU的流程，CPU內部硬體在執行指令時需要用到

暫存器種類	暫存器	目的
看得見的暫存器	通用暫存器	代表CPU的使用的字組長度決定N位元電腦， 同時代表通用暫存器的N位元數[中華電信]，沒有特定用途，備援使用(資料，位址，指令)
	資料暫存器	暫存要處理的數據
	位址暫存器	將欲存取的位址先暫存，CPU才可至主記憶體存取資料 - 普考106
	條件碼暫存器	暫存指令執行狀態
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控制與狀態暫存器	程式計數器	存放下一個要抓的指令之位址
	指令暫存器	存放最近從主記憶體抓回CPU的指令
	記憶體位址 暫存器	存放主記憶體中的某個位址，以便主記憶體根據其內容抓取資料或指令
	記憶體緩衝 暫存器	存放從主記憶體抓回來的東西，或是CPU要將資料寫入主記憶體， 則先將資料放入這個緩衝暫存器，以待機寫入主記憶體
	ALU緩衝 暫存器	存放ALU計算的結果
	程式狀態字元	暫存器或一些暫存器用來顯示條件碼及狀態訊息

1. 記憶體定址空間
2. 資料匯流排寬度
3. 暫存器的位元寬 - 中華電信(通用暫存器)

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1. 利用程式執行時之時間區域性(temporal locality) : 一個記憶體位址被存取後，不久會再度被存取 ex:迴圈，副程式，以及堆疊，迴圈控制變數,計算總合變數
2. 提升效能價格比 : 輔助記憶體價格較便宜且容量相對較大，硬體─階層式架構 (拉近硬體間速度的差異來 提高效能)
3. 利用程式執行時之空間區域性(spatial locality) : 一個記憶體位址被存取後，不久其附近的記憶體位址也會被存取 ex:循序指令，以及陣列，相關的變數

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最快[成本最高]	種類
	暫存器 [揮發性]
SRAM	L1 快取 [揮發性]
SRAM	L2 快取 [揮發性]
SRAM	L3 快取 [揮發性]
SRAM	L4 快取 [揮發性]
DRAM	主記憶體 [揮發性]
輔助記憶體	HDD，SSD，Flash 快閃記憶體 [非揮發性]
最慢[成本低	延遲性高]

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• 特性 :

  1. DDR每世代的相容性 : DDR皆無法向下相容，各種類別的DDR的防呆孔位置皆不同

  2. DDR每世代的命名規則 : PC2 等同於 DDR2、PC3 等同於 DDR3、PC4 等同於 DDR4

  3. DDR每世代的時脈表示 : 單位是 MHz，例如 DDR3-1600 的時脈就是 1600 MHz，也就是每秒傳輸 1600 M 次

  4. DDR每世代的時脈相容性 : 相同標準不同速度的記憶體放在一起實際速度以最慢的那一個為準

  5. 其他 : ECC（Error Correcting Code）是資料錯誤偵測與校正功能，具有 ECC 功能的記憶體通常都是用於專業的伺服器

• SRAM : cahe用途，速度比DRAM快
• DRAM : 主記憶體用，可以擴充

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• Flash 快閃記憶體，可反覆存取
• PROM[電容絲，依需求燒毀寫入程式則不可再複寫]
• EPROM[使用太陽能紫外線清除內容重複寫入]
• EEROM[高壓電場]

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• SSD固態硬碟特性 :

優點	缺點
1. 具防震(衝撞及震動)忍受能力	1. 高成本
2. 無噪音	2. 容量限制
3. 採用Flash快閃記憶體	3. 寫入次數限制
4. 更快的隨機存取時間	4. 損壞時不可挽救性[ 不可存放重要資料 ]
5. 更大的資料傳輸量	5. 掉速
6. 低功耗，低熱量

• 固態硬碟區分 :

類別	速度	壽命	錯誤率	價格	讀寫次數
SLC(即Single 1bit/cell)	最快	最長	最低	昂貴	<=十萬
MLC(即Multi 2bit/cell)	一般	一般	中間	中等	3000<= 10000
TLC(即Triple 3bit/cell)	最慢	最短	極高	便宜

SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格貴（約MLC 3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命

MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次擦寫壽命

TLC = Triple-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash廠家叫8LC，速

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1. 循序寫入 : 磁帶
2. 隨機存取 : 硬碟