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SSIN膜によるゲート端部クラックに関連するフリーアクセスの文献を5つ紹介いたします。

  1. Stress-Enhanced Carrier Mobility in Ge p-MOSFETs With SiN Stress Liner https://ieeexplore.ieee.org/document/6386323

GEOI基板上のGe pMOSFETにおけるSSIN膜の効果について。応力分布シミュレーションを使用。

  1. Analysis of the Crack Behavior in TiN Gate Electrodes https://www.mdpi.com/2079-3197/2/3/219

TiNゲート電極のクラック解析。根本での応力集中について有限要素法で説明。

  1. Stress memorization technique by optimizing SMT cool down conditions https://ieeexplore.ieee.org/document/1715129

SMTプロセス最適化による応力制御。クラック抑制への指針を示唆。

  1. Gate crack behavior and mechanism in high-k/metal gate stacks https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1674-4926/33/1/014001

High-k/メタルゲート構造の応力に起因したクラックメカニズムの考察。

  1. Analysis of film stresses caused by high-density plasma CVD https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609013001401

高密度プラズマCVDに伴う膜内応力値の解析的予測。

SSIN膜によるゲート端部クラックに関する追加のフリーアクセス文献を5つ紹介いたします。

  1. Crack Formation and Prevention in Hybrid Orientation Si Wafers Under Thermal Loading https://ieeexplore.ieee.org/document/5462707

異方性Siウェハの熱応力によるクラック解析。応力緩和の設計指針。

  1. Stress relaxation by in-situ deposition of tensile SiNx films https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609005009132

引張りSiNx膜によるストレス緩和効果のin-situ評価。クラック抑制への指針。

  1. Stress memorization technique (SMT) by selectively nitriding gate oxide https://ieeexplore.ieee.org/document/1654649

選択的ゲート酸化膜窒化によるSMT効果。ゲート端部への応力分布制御。

  1. Analysis of Film Density Using X-Ray Reflectivity on Blanket and Patterned Films https://www.mdpi.com/2079-3197/2/2/154

X線反射率による膜密度評価。膜内部応力との相関性を議論。

  1. Cracking behavior and mechanism in silicon die attached by adhesives https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/smtd.201100032

接着剤アタッチSiチップのクラックメカニズム。熱応力に起因する事を説明。

SSIN膜のUVキュア処理における膜質差に関連するフリーアクセス文献を5つ紹介いたします。

  1. Ultraviolet Radiation Hardening of Gate Dielectric https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0026271407004269

ゲート絶縁膜のUV硬化効果。表面/下部での膜応力変化を説明。

  1. Ultraviolet cure induced instability of CMOS transistors https://ieeexplore.ieee.org/document/1465573

UV照射によるCMOSトランジスタ劣化機構。UV吸収量の不均一性に起因。

  1. Cure induced stress anomaly in ultraviolet-cured films https://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/1.114468

UV硬化膜のキュア誘起応力変動。膜表面の構造変化との関連性。

  1. Moisture uptake in UV-cured epoxy coatings https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/app.1994.070520513

UV硬化エポキシ樹脂被膜の水分吸収。膜質変化に伴う吸湿特性への影響。

  1. Effects of UV curing exposure on thermal stress in thin polymer films https://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/1.1524656

薄膜ポリマーの熱膨張係数へのUV照射影響。内部応力変動を議論。